| 기술분야 |
극초 ZrSiO 박막 성장 - 스퍼터링법으로 GaInZnO 박막 성장
- PLD법으로 GaInZnO 박막 성장
- 성장된 박막의 XPS 및 REELS 틀 통한 밴드갭 측정 및 AES의 측정으로 박 막의 균일성 및 조성분석
- 박막성장
- REELS 및 XPS 측정
- AES 분석 |
| 산업협력분야 |
- 반도체 박막의 밴드 갭과 가전도띠 와 전도띠의 장벽높이 측정 - XPS, AES 와 REELS를 통한 박막의 표면특성분석 |
| 연구실적 |
- 차세대 소자개발 기반기술 (제2단계 BK21사업) - 실온 자성 반도체 박막의 미세전자구조 및 전자기적특성 (한국과학재단) - XPS와 AES에 의한 이원 합금박막의 정량분석 알고리즘 개발(한국표준과학연구원) - 반도체 재료 band gap 측량 및 해석 (삼성종합기술원) - 고유전체다층박막의 밴드 갭 및 유전함수 측정 (삼성전자) - 오제이 전자분광기 (한국기초과학지원연구원) - 극 초 반도체 산화박막의 전자적 및 광학적 특성연구 (한국학술진흥재단) |
| 논문 |
- ""Band gap engineering for La aluminate dielectrics on Si (100)"", APPLIED PHYSICS LETTERS 93, 052904 (2008) - ""Effects of postnitridation annealing on band gap and band offsets of nitrided Hf-silicate films"", APPLIED PHYSICS LETTERS 92, 022907 (2008) |
| 특허 |
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